一種WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層屬于硬質(zhì)合金復(fù)合涂層技術(shù)領(lǐng)域,WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層由陰極電弧離子鍍結(jié)合陽(yáng)極層離子源復(fù)合制備而成。制備的WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層厚度可達(dá)30~60微米，其厚度顯著優(yōu)于常規(guī)氮化物和碳化物硬質(zhì)涂層,在室溫-500C范圍內(nèi)的摩擦系數(shù)為0.11~0.25,且在此溫度范圍內(nèi)能夠始終保持較低的摩擦系數(shù)和優(yōu)良的抗磨損性能，可廣泛應(yīng)用于刀具等機(jī)械加工行業(yè)，對(duì)推動(dòng)綠色加工行業(yè)的發(fā)展和節(jié)能降耗，具有重要的實(shí)際意義。

WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述的WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層的制備方法,包括以下步驟:

1:準(zhǔn)備

以WNi合金為陰極電弧離子鍍靶材，陰極電弧離子鍍靶材的靶面和陽(yáng)極層離子源靶材的靶面法向線重合，陰極電弧離子鍍靶材的靶面和陽(yáng)極層離子源靶材的靶面之間的間距為450~500mm;將陰極電弧離子鍍靶材和陽(yáng)極層離子源靶材設(shè)置在真空室中,且靶面法向線和真空室中心線在同一平面內(nèi)切垂直:將鍍膜基材樣品設(shè)置在真空室中的試樣架中;當(dāng)真空室壓強(qiáng)≤6X10Pa時(shí),開(kāi)始加熱,當(dāng)真空室壓強(qiáng)小于2X10Pa,真空室溫度保持在460~470C，開(kāi)始鍍膜:

2:鍍膜

向真空室內(nèi)通入Ar,使得真空室壓強(qiáng)為0.1~0.2Pa,鍍膜基材樣品公轉(zhuǎn),開(kāi)啟陽(yáng)極層離子源,設(shè)置功率為3.5~4KW,電壓為1200~1500V,時(shí)間為1020min;調(diào)整陽(yáng)極層離子源的功率為1.5~2.5KW電為800~1000V,持續(xù)通入Ar開(kāi)啟偏壓電源負(fù)偏壓值范圍為400~600V，開(kāi)啟陰極電弧離子鍍電源，調(diào)節(jié)陰極電弧離子鍍靶材的電流至70~80A,沉積得到WNi合金層，所沉積的WNi合金層厚度1~2微米,時(shí)間5~10min;S3:通入乙炔反應(yīng)。

向真空室內(nèi)通入乙炔,至真空室內(nèi)總壓強(qiáng)為0.5~0.6Pa,沉積150~300min,得到沉積在鍍膜基材樣品上的WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，所述的S1中，陰極電弧離子鍍的靶材的靶面直徑為100mm;陽(yáng)極層離子源的靶面直徑為150mm。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，所述的S2中鍍膜基材樣品公轉(zhuǎn)的速率為10~15r/min,自轉(zhuǎn)速率為30~40r/min。9.權(quán)利要求1~4任意一項(xiàng)所述的WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層的應(yīng)用,其特征在于,將WCNi-DLC納米復(fù)合涂層鍍?cè)谟操|(zhì)合金刀具上或鍍?cè)谔妓毓ぞ咪摰毒呱稀?/font>10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的WC-Ni-DLC納米復(fù)合涂層的應(yīng)用,其特征在于,刀具為車刀銑刀、鉆頭中的一種。